МОП-транзисторы NextPower компании NXP с самым низким в отрасли значением RDS(on)

Компания NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) объявила о выпуске 15 новых устройств NextPower – 25-В и 30-В полевых МОП-транзисторов (MOSFET) в корпусе LFPAK собственной разработки. Новейшие дополнения к портфелю силовых МОП-транзисторов компании NXP отличаются уникально сбалансированными характеристиками по шести важнейшим для высокопроизводительных, высоконадежных коммутационных приложений параметрам и при этом имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала RDS(on) – ниже 1 мОм как для 25-В, так и для 30-В версий. В устройствах NextPower компания NXP вместо традиционных подходов, которые концентрируются в основном на снижении сопротивления RDS(on) и заряда затвора Qg, использует технологию суперперехода (superjunction), позволяющую добиться сбалансированного сочетания низкого сопротивления RDS(on) с низкими зарядами Qoss, Qg(tot) и Qgd, что обеспечивает отличные коммутационные характеристики и меньшие потери между выводами стока и истока, а также превосходную область безопасной работы (SOA). К тому же корпус NXP LFPAK, самый прочный среди Power-SO8, обеспечивает надежную коммутацию при небольших размерах посадочного места: 5 x 6 мм.

Факты/основные особенности:

• 25-вольтовые и 30-вольтовые МОП-транзисторы NXP NextPower имеют отличные значения следующих шести параметров:

o Низкое RDS(on) – самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала RDS(on) среди компонентов в корпусе Power-SO8, которое обеспечивает малый уровень тепловых потерь (I2R) и превосходные рабочие характеристики при использовании в приложениях SYNC FET или Power OR-ing

o Низкий заряд Qoss для снижения потерь между СТОКОМ и ИСТОКОМ, что позволяет уменьшить потери энергии, запасенной в выходной емкости (Coss), при изменении напряжения между выводами

o Низкий заряд Миллера (Qgd) для снижения потерь на переключение и для высокоскоростного переключения

o Область безопасной работы, обеспечивающая устойчивость к перегрузкам и к отказам

o Низкий заряд затвора (Qg) для снижения потерь в схеме драйвера затвора

o Превосходная температура суперперехода Tj(max) благодаря корпусу LFPAK (версия Power-SO8 повышенной прочности) для использования в средах с особыми требованиями к надежности

• Основные области применения: синхронные понижающие стабилизаторы, DC-DC преобразователи, модули стабилизации напряжения и приложения Power OR-ing

Цитаты:

• «Самое низкое в отрасли значение сопротивления открытого канала RDS(on) при напряжениях 25 или 30 В – это не самое главное. Действительно крупное достижение состоит в том, что мы можем контролировать все аспекты поведения наших новейших МОП-транзисторов NextPower при сопротивлениях и выше, и ниже сопротивления открытого канала, а также заряд затвора, что очень важно для высокопроизводительной высоконадежной коммутации с максимальной энергоэффективностью», – заявил Чарльз Лимонард (Charles Limonard), менеджер по маркетингу силовых МОП-транзисторов, компания NXP Semiconductors.