Сегодня понедельник, 24.08.2026, 07:46, ньюсмейкеров: 45153, сайтов: 1203, публикаций: 3603979, просмотров за сутки: 252374
01.08.2022 11:24
Документы.
Просмотров всего: 10680; сегодня: 1.

Утвержден перечень материалов и технологий для налоговых льгот

Правительство утвердило перечни материалов и технологий, производители и разработчики которых смогут воспользоваться льготами по страховым взносам и налогу на прибыль в рамках разработанного Правительством комплекса мер поддержки отечественной радиоэлектронной отрасли.

В перечень технологий вошли 59 позиций, в том числе производство полупроводниковых пластин с кристаллами, инерциальных микроэлектромеханических систем, создание волоконно-оптических кабелей, технологии лазерной сварки кварцевого стекла и пьезоэлектрических генераторов. Также в него включены более 30 видов материалов, среди которых рутений в виде порошка, золотые и серебряные припои, оксиды и гидроксиды хрома и меди, аммиак и прочие.

Микроэлектроника, созданная с использованием этих материалов и технологий, необходима для широкого спектра продукции: от автомобилей, самолётов и космических аппаратов до бытовой техники.

Организации и предприятия, которые специализируются на разработке и производстве такой продукции, смогут платить налог на прибыль по ставке в 3%. Для них также предусмотрен льготный тариф страховых взносов – 7,6%.

Указанные меры поддержки – часть так называемого налогового манёвра 2.0, разработанного для стимулирования развития отечественной радиоэлектронной отрасли в условиях внешних ограничений. Изменения в часть вторую Налогового кодекса были приняты в июле 2022 года.

«Всё это позволит расширить выпуск собственной радиоэлектроники на фоне введённых запретов на импорт и повысить её конкурентоспособность», – отметил Михаил Мишустин в ходе совещания с вице-премьерами 1 августа.

Постановление от 22 июля № 1310 опубликовано на сайте Правительства РФ.

Текст документа:

Правительство Российской Федерации

Постановление от 22 июля 2022 г. № 1311, Москва

Об утверждении перечня материалов и технологий для производства электронной компонентной базы (электронных модулей) для целей применения пониженных налоговых ставок по налогу на прибыль организаций и тарифов страховых взносов

В соответствии с абзацем третьим пункта 116 статьи 284 и абзацем вторым пункта 14 статьи 427 Налогового кодекса Российской Федерации Правительство Российской Федерации постановляет:

1. Утвердить прилагаемый перечень материалов и технологий для производства электронной компонентной базы (электронных модулей) для целей применения пониженных налоговых ставок по налогу на прибыль организаций и тарифов страховых взносов.

2. Настоящее постановление вступает в силу со дня его официального опубликования.

Председатель Правительства Российской Федерации М. Мишустин

 

Утвержден постановлением Правительства Российской Федерации от 22 июля 2022 г. № 1311

Перечень материалов и технологий для производства электронной компонентой базы (электронных модулей) для целей применения пониженных налоговых ставок по налогу на прибыль организаций и тарифов страховых взносов

I. Материалы для производства электронной компонентой базы (электронных модулей) в соответствии с Общероссийским классификатором продукции по видам экономической деятельности

Код в соответствии с Общероссийским классификатором продукции по видам экономической деятельности ОК 034-2014 (КПЕС 2008)

Наименование группировки

08.99.29.120

Кварц, кварцит

20.11.1

Газы промышленные

20.12.12

Оксиды и гидроксиды хрома, оксиды марганца и свинца, оксиды и гидроксиды меди

20.12.19

Оксиды, пероксиды и гидроксиды прочих металлов

20.13.2

Элементы химические, не включенные в другие группировки; неорганические кислоты и соединения

20.13.4

Сульфиды, сульфаты; нитраты, фосфаты и карбонаты

20.13.62

Цианиды, цианидоксиды и комплексные цианиды; фульминаты, цианаты и тиоцианаты; силикаты; бораты; пербораты; прочие соли неорганических кислот или пероксикислот

20.13.63

Пероксид водорода (перекись водорода)

20.13.64

Фосфиды, карбиды, гидриды, нитриды, азиды, силициды и бориды

20.13.65

Соединения редкоземельных металлов, иттрия или скандия

20.14.13

Производные ациклических углеводородов хлорированные

20.14.2

Спирты, фенолы, фенолоспирты и их галогенированные, сульфированные, нитрованные или нитрозированные производные; спирты жирные промышленные

20.14.33

Кислоты ненасыщенные монокарбоновые, циклоалкановые, циклоалкеновые или циклотерпеновые ациклические поликарбоновые и производные этих соединений

20.15.1

Кислота азотная; кислоты сульфоазотные; аммиак

20.16.1

Полимеры этилена в первичных формах

20.30

Материалы лакокрасочные и аналогичные для нанесения покрытий, полиграфические краски и мастики

20.52.10

Клеи

20.59.12.110

Эмульсии фотографические

20.59.53

Элементы химические легированные в форме дисков и соединения химические легированные, используемые в электронике

20.59.59.900

Продукты разные химические прочие, не включенные в другие группировки

21.10.20.120

Соли четвертичные и гидроксиды аммония

22.21.2

Трубы, трубки и шланги и их фитинги пластмассовые

22.22.19

Изделия упаковочные пластмассовые прочие

23.49.12

Изделия керамические нестроительные прочие, не включенные в другие группировки

24.41.10.150

Припои серебряные

24.41.20.131

Золото полуобработанное в виде болванок, брусьев, проволоки и профилей, пластин, листов и полос толщиной более 0,15 мм, не считая основы

24.41.20.160

Припои золотые

24.41.30.151

Рутений в виде порошка

24.42

Алюминий

24.43

Свинец, цинк и олово

24.44

Медь

24.45.30

Металлы цветные и продукция из них;

спеченные материалы (керметы), зола и остатки, содержащие металлы или соединения металлов, прочие

II. Технологии для производства электронной компонентой базы (электронных модулей)

1. Технологии микроэлектронного производства электронной компонентной базы с топологическими нормами 250 - 7 нм.

2. Технологии микроэлектронного производства электронной компонентной базы с топологическими нормами 3 - 0,34 мкм.

3. Технологии производства полупроводниковых пластин с кристаллами.

4. Технологии сборки полупроводниковых изделий и кристаллов микросхем интегральных в корпус, в том числе в инлей и чип-модуль.

5. Технологии производства корпусов для полупроводниковых изделий и микросхем интегральных.

6. Технологии сборки силовых модулей, микромодулей, систем в корпусе.

7. Технологии создания фотошаблонов для формирования топологического рисунка.

8. Технологии производства электровакуумных и комплексированных изделий СВЧ.

9. Технологии производства инерциальных микроэлектромеханических систем.

10. Технологии производства высокочастотных микроэлектромеханических систем и актюаторов.

11. Технологии производства кабелей волоконно-оптических.

12. Технологии производства кабелей, проводов и шнуров связи (LAN-кабелей).

13. Технологии производства опто- и фотоэлектронной компонентной базы инфракрасного диапазона спектра.

14. Технологии производства одноканальных и многоканальных волоконно-оптических соединителей, в том числе вращающихся.

15. Технологии производства охлаждаемых фотоприемников спектрального диапазона 3 - 5, 8 - 12 мкм.

16. Технологии производства планарных одно- или многоэлементных низкочастотных кремниевых фотодиодов, pin-фотодиодов.

17. Технологии производства стеклянных и кварцевых деталей, стеклоспаев с металлами.

18. Технологии стыковки flip-chip деталей фото- и микроэлектроники.

19. Технологии лазерной сварки кварцевого стекла.

20. Технологии производства органических полупроводниковых материалов.

21. Технологии производства полупроводниковых пластин с наногетероструктурами для производства полупроводниковых лазеров, фотоприемников, фотокатодов, элементов интегральной фотоники.

22. Технологии сборки мощных полупроводниковых лазеров, интегральных элементов радиофотоники.

23. Технологии производства приемных и передающих модулей для высокоскоростных и СВЧ линий передачи оптической информации.

24. Технологии производства светодиодов.

25. Технологии производства полимерных конденсаторов.

26. Технологии производства высокоемких малогабаритных конденсаторов с двойным электрическим слоем (ионисторов).

27. Технологии производства высокоемких малогабаритных пленочных конденсаторов.

28. Технологии производства высокоемких малогабаритных конденсаторных сборок.

29. Технологии производства высоконадежных подстроечных конденсаторов. 30. Технологии производства оксидно-полупроводниковых конденсаторов.

31. Технологии производства оксидно-электролитических конденсаторов.

32. Технологии производства объемнопористых конденсаторов.

33. Технологии производства резонаторов пьезоэлектрических простых.

34. Технологии производства резонаторов пьезоэлектрических прецезионных.

35. Технологии производства генераторов пьезоэлектрических простых.

36. Технологии производства генераторов пьезоэлектрических термокомпенсированных.

37. Технологии производства генераторов пьезоэлектрических управляемых напряжением.

38. Технологии производства фильтров пьезоэлектрических полосовых.

39. Технологии производства резисторов постоянных проволочных и фольговых.

40. Технологии производства резисторов постоянных непроволочных.

41. Технологии производства терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом.

42. Технологии производства варисторов.

43. Технологии производства трансформаторов плоских.

44. Технологии производства катушек индуктивности.

45. Технологии производства дросселей силовых.

46. Технологии производства соединителей для ленточных проводов.

47. Технологии производства соединителей низкочастотных прямоугольных для печатного монтажа.

48. Технологии производства соединителей радиочастотных.

49. Технологии производства соединителей для высокоскоростной передачи информации.

50. Технологии производства перспективных коммутационных изделий.

51. Технологии производства машин электрических малой мощности.

52. Технологии производства химических источников тока.

53. Технологии производства кабельной продукции.

54. Технологии производства источников вторичного электропитания.

55. Технологии производства печатных плат.

56. Технологии производства керамических конденсаторов с электродами на основе драгоценных металлов.

57. Технологии производства керамических конденсаторов с электродами на основе неблагородных металлов.

58. Технологии производства проходных помехоподавляющих фильтров.

59. Технологии производства технологической оснастки для производства и измерений изделий электронной компонентной базы (электронных модулей).

Тематические сайты: Бухучет, налоги, отчетность, Вся Россия, Государство, Законодательство, право, Импортозамещение, Конкурентоспособность, Оборудование, электроника, механизмы, Технологии
Сайты стран: Россия

Ньюсмейкер: Национальное деловое партнерство "Альянс Медиа" — 12046 публикаций
Сайт: government.ru/news/46151/

Интересно:

21.08.2026 19:20 Интервью, мнения
ГИГАНТ — Компьютерные системы: готовность КИИ к закону об ИИ
Дмитрий Битченков, директор департамента сопровождения конкурентных процедур компании «ГИГАНТ — Компьютерные системы» рассказал, почему более половины ИИ-проектов в КИИ разваливаются из-за некачественных данных, как отсутствие единой стратегии управления информацией порождает системные риски, а также объяснил, чем опасна децентрализация ответственности за ИИ и почему выстраивать AI Governance нужно уже сейчас, не дожидаясь подзаконных актов. Почему качество данных становится главным барьером для выполнения требований нового закона и почему более 50% ИИ-проектов закрываются именно из-за этой проблемы? ИИ-модель не исправляет проблемы в исходных данных, а масштабирует их. Если сведения неполные, дублируются, хранятся в несопоставимых форматах или противоречат друг другу, модель начинает выдавать недостоверные результаты. При этом компания не может уверенно объяснить, на основании каких данных был получен конкретный вывод, воспроизвести...
Как меняется анатомия по мере обучения в медвузе
21.08.2026 15:16 Консультации
Как меняется анатомия по мере обучения в медвузе
На первом курсе студент разбирает кости, мышцы, сосуды и внутренние органы как отдельные части одной большой системы. Через несколько лет от него уже требуется совсем другое знание – понимать, что находится рядом с конкретным нервом, через какие ткани проходит хирургический доступ и почему повреждение структуры в одной зоне может изменить работу другой. Поэтому курсы анатомии для студентов могут решать разные задачи в зависимости от этапа обучения и будущей специальности. Анатомия не остается одинаковой на протяжении всего медицинского образования. Сначала студент учится узнавать и называть структуры, затем – видеть их взаимное расположение, а позже – использовать эти знания при изучении клинических дисциплин. То, что на раннем этапе кажется набором терминов, постепенно становится языком, на котором описывают обследование пациента, операцию, результат компьютерной томографии или повреждение нерва. Нормальная анатомия создает...
Токийский трибунал: исторические уроки и современные вызовы
21.08.2026 12:24 Аналитика
Токийский трибунал: исторические уроки и современные вызовы
Александр Григорьевич Звягинцев Институт государства и права Российской академии наук, Москва, Россия Аннотация Статья посвящена историко-правовому анализу деятельности Международного военного трибунала для Дальнего Востока (Токийского трибунала) в контексте его сопоставления с Нюрнбергским процессом. Автор исследует роль Токийского трибунала в становлении основ современного международного права, в частности, в вопросах квалификации военной агрессии как тягчайшего преступления против человечества. В работе рассматривается влияние итогов трибуналов на механизмы сдерживания глобальных конфликтов и предотвращение применения оружия массового поражения. Ровно 80 лет назад в мае 1946 года начал работу Международный военный трибунал для Дальнего Востока или, как его сейчас называют, Токийский трибунал. Как и Нюрнбергский международный военный трибунал, Токийский процесс осудил зачинщиков агрессивных войн, целью которых было...
Молодые соотечественники представят проекты в Москве
19.08.2026 17:46 Новости
Молодые соотечественники представят проекты в Москве
С 21 по 26 августа в Москве пройдет V Проектный акселератор для молодежного крыла российской зарубежной диаспоры. Шесть команд-победителей получат финансовую и организационную поддержку в реализации своих культурно-гуманитарных инициатив. В очном этапе примут участие команды, которые вышли в финал по итогам онлайн-этапа. Под руководством экспертов участники доработают проекты и представят их экспертам на итоговой защите. Проектный акселератор — культурно-образовательный проект Правительства Москвы. Его организаторами выступают Департамент внешнеэкономических и международных связей города Москвы и Московский Дом соотечественника. Проект направлен на развитие навыков проектного управления у молодых российских соотечественников, укрепление их связей с Москвой и формирование международного сообщества активистов, реализующих инициативы в сфере русского языка, культуры и исторической памяти. Участники разрабатывают проекты по нескольким...
VOXYS принял участие в молодежном образовательном форуме  «ШУМ 2026»
17.08.2026 16:01 Мероприятия
VOXYS принял участие в молодежном образовательном форуме «ШУМ 2026»
Заместитель генерального директора VOXYS Андрей Семенов выступил на Всероссийском молодежном образовательном форуме «ШУМ 2026» в рамках тематической программы «ИИ на Волне». Это ключевое событие круглогодичного молодёжного образовательного центра Росмолодёжи, объединившее более 1500 участников. Центральная тема форума – медиа и журналистика. Программа нацелена на выявление и профессиональное сопровождение молодых разнопрофильных специалистов: журналистов, специалистов по связям с общественностью, создателей контента, блогеров. Организаторами Всероссийского молодёжного образовательного форума «ШУМ» выступают Федеральное агентство по делам молодёжи и Правительство Калининградской области, в лице АНО «Молодёжный центр «ШУМ». Программа была посвящена практическому применению искусственного интеллекта, развитию цифровых компетенций и карьерным возможностям для молодых специалистов. В открытом диалоге с работодателями представители компаний...