Сегодня среда, 24.06.2026, 21:57, ньюсмейкеров: 45118, сайтов: 1203, публикаций: 3596442, просмотров за сутки: 589690
01.08.2022 11:24
Документы.
Просмотров всего: 10548; сегодня: 1.

Утвержден перечень материалов и технологий для налоговых льгот

Правительство утвердило перечни материалов и технологий, производители и разработчики которых смогут воспользоваться льготами по страховым взносам и налогу на прибыль в рамках разработанного Правительством комплекса мер поддержки отечественной радиоэлектронной отрасли.

В перечень технологий вошли 59 позиций, в том числе производство полупроводниковых пластин с кристаллами, инерциальных микроэлектромеханических систем, создание волоконно-оптических кабелей, технологии лазерной сварки кварцевого стекла и пьезоэлектрических генераторов. Также в него включены более 30 видов материалов, среди которых рутений в виде порошка, золотые и серебряные припои, оксиды и гидроксиды хрома и меди, аммиак и прочие.

Микроэлектроника, созданная с использованием этих материалов и технологий, необходима для широкого спектра продукции: от автомобилей, самолётов и космических аппаратов до бытовой техники.

Организации и предприятия, которые специализируются на разработке и производстве такой продукции, смогут платить налог на прибыль по ставке в 3%. Для них также предусмотрен льготный тариф страховых взносов – 7,6%.

Указанные меры поддержки – часть так называемого налогового манёвра 2.0, разработанного для стимулирования развития отечественной радиоэлектронной отрасли в условиях внешних ограничений. Изменения в часть вторую Налогового кодекса были приняты в июле 2022 года.

«Всё это позволит расширить выпуск собственной радиоэлектроники на фоне введённых запретов на импорт и повысить её конкурентоспособность», – отметил Михаил Мишустин в ходе совещания с вице-премьерами 1 августа.

Постановление от 22 июля № 1310 опубликовано на сайте Правительства РФ.

Текст документа:

Правительство Российской Федерации

Постановление от 22 июля 2022 г. № 1311, Москва

Об утверждении перечня материалов и технологий для производства электронной компонентной базы (электронных модулей) для целей применения пониженных налоговых ставок по налогу на прибыль организаций и тарифов страховых взносов

В соответствии с абзацем третьим пункта 116 статьи 284 и абзацем вторым пункта 14 статьи 427 Налогового кодекса Российской Федерации Правительство Российской Федерации постановляет:

1. Утвердить прилагаемый перечень материалов и технологий для производства электронной компонентной базы (электронных модулей) для целей применения пониженных налоговых ставок по налогу на прибыль организаций и тарифов страховых взносов.

2. Настоящее постановление вступает в силу со дня его официального опубликования.

Председатель Правительства Российской Федерации М. Мишустин

 

Утвержден постановлением Правительства Российской Федерации от 22 июля 2022 г. № 1311

Перечень материалов и технологий для производства электронной компонентой базы (электронных модулей) для целей применения пониженных налоговых ставок по налогу на прибыль организаций и тарифов страховых взносов

I. Материалы для производства электронной компонентой базы (электронных модулей) в соответствии с Общероссийским классификатором продукции по видам экономической деятельности

Код в соответствии с Общероссийским классификатором продукции по видам экономической деятельности ОК 034-2014 (КПЕС 2008)

Наименование группировки

08.99.29.120

Кварц, кварцит

20.11.1

Газы промышленные

20.12.12

Оксиды и гидроксиды хрома, оксиды марганца и свинца, оксиды и гидроксиды меди

20.12.19

Оксиды, пероксиды и гидроксиды прочих металлов

20.13.2

Элементы химические, не включенные в другие группировки; неорганические кислоты и соединения

20.13.4

Сульфиды, сульфаты; нитраты, фосфаты и карбонаты

20.13.62

Цианиды, цианидоксиды и комплексные цианиды; фульминаты, цианаты и тиоцианаты; силикаты; бораты; пербораты; прочие соли неорганических кислот или пероксикислот

20.13.63

Пероксид водорода (перекись водорода)

20.13.64

Фосфиды, карбиды, гидриды, нитриды, азиды, силициды и бориды

20.13.65

Соединения редкоземельных металлов, иттрия или скандия

20.14.13

Производные ациклических углеводородов хлорированные

20.14.2

Спирты, фенолы, фенолоспирты и их галогенированные, сульфированные, нитрованные или нитрозированные производные; спирты жирные промышленные

20.14.33

Кислоты ненасыщенные монокарбоновые, циклоалкановые, циклоалкеновые или циклотерпеновые ациклические поликарбоновые и производные этих соединений

20.15.1

Кислота азотная; кислоты сульфоазотные; аммиак

20.16.1

Полимеры этилена в первичных формах

20.30

Материалы лакокрасочные и аналогичные для нанесения покрытий, полиграфические краски и мастики

20.52.10

Клеи

20.59.12.110

Эмульсии фотографические

20.59.53

Элементы химические легированные в форме дисков и соединения химические легированные, используемые в электронике

20.59.59.900

Продукты разные химические прочие, не включенные в другие группировки

21.10.20.120

Соли четвертичные и гидроксиды аммония

22.21.2

Трубы, трубки и шланги и их фитинги пластмассовые

22.22.19

Изделия упаковочные пластмассовые прочие

23.49.12

Изделия керамические нестроительные прочие, не включенные в другие группировки

24.41.10.150

Припои серебряные

24.41.20.131

Золото полуобработанное в виде болванок, брусьев, проволоки и профилей, пластин, листов и полос толщиной более 0,15 мм, не считая основы

24.41.20.160

Припои золотые

24.41.30.151

Рутений в виде порошка

24.42

Алюминий

24.43

Свинец, цинк и олово

24.44

Медь

24.45.30

Металлы цветные и продукция из них;

спеченные материалы (керметы), зола и остатки, содержащие металлы или соединения металлов, прочие

II. Технологии для производства электронной компонентой базы (электронных модулей)

1. Технологии микроэлектронного производства электронной компонентной базы с топологическими нормами 250 - 7 нм.

2. Технологии микроэлектронного производства электронной компонентной базы с топологическими нормами 3 - 0,34 мкм.

3. Технологии производства полупроводниковых пластин с кристаллами.

4. Технологии сборки полупроводниковых изделий и кристаллов микросхем интегральных в корпус, в том числе в инлей и чип-модуль.

5. Технологии производства корпусов для полупроводниковых изделий и микросхем интегральных.

6. Технологии сборки силовых модулей, микромодулей, систем в корпусе.

7. Технологии создания фотошаблонов для формирования топологического рисунка.

8. Технологии производства электровакуумных и комплексированных изделий СВЧ.

9. Технологии производства инерциальных микроэлектромеханических систем.

10. Технологии производства высокочастотных микроэлектромеханических систем и актюаторов.

11. Технологии производства кабелей волоконно-оптических.

12. Технологии производства кабелей, проводов и шнуров связи (LAN-кабелей).

13. Технологии производства опто- и фотоэлектронной компонентной базы инфракрасного диапазона спектра.

14. Технологии производства одноканальных и многоканальных волоконно-оптических соединителей, в том числе вращающихся.

15. Технологии производства охлаждаемых фотоприемников спектрального диапазона 3 - 5, 8 - 12 мкм.

16. Технологии производства планарных одно- или многоэлементных низкочастотных кремниевых фотодиодов, pin-фотодиодов.

17. Технологии производства стеклянных и кварцевых деталей, стеклоспаев с металлами.

18. Технологии стыковки flip-chip деталей фото- и микроэлектроники.

19. Технологии лазерной сварки кварцевого стекла.

20. Технологии производства органических полупроводниковых материалов.

21. Технологии производства полупроводниковых пластин с наногетероструктурами для производства полупроводниковых лазеров, фотоприемников, фотокатодов, элементов интегральной фотоники.

22. Технологии сборки мощных полупроводниковых лазеров, интегральных элементов радиофотоники.

23. Технологии производства приемных и передающих модулей для высокоскоростных и СВЧ линий передачи оптической информации.

24. Технологии производства светодиодов.

25. Технологии производства полимерных конденсаторов.

26. Технологии производства высокоемких малогабаритных конденсаторов с двойным электрическим слоем (ионисторов).

27. Технологии производства высокоемких малогабаритных пленочных конденсаторов.

28. Технологии производства высокоемких малогабаритных конденсаторных сборок.

29. Технологии производства высоконадежных подстроечных конденсаторов. 30. Технологии производства оксидно-полупроводниковых конденсаторов.

31. Технологии производства оксидно-электролитических конденсаторов.

32. Технологии производства объемнопористых конденсаторов.

33. Технологии производства резонаторов пьезоэлектрических простых.

34. Технологии производства резонаторов пьезоэлектрических прецезионных.

35. Технологии производства генераторов пьезоэлектрических простых.

36. Технологии производства генераторов пьезоэлектрических термокомпенсированных.

37. Технологии производства генераторов пьезоэлектрических управляемых напряжением.

38. Технологии производства фильтров пьезоэлектрических полосовых.

39. Технологии производства резисторов постоянных проволочных и фольговых.

40. Технологии производства резисторов постоянных непроволочных.

41. Технологии производства терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом.

42. Технологии производства варисторов.

43. Технологии производства трансформаторов плоских.

44. Технологии производства катушек индуктивности.

45. Технологии производства дросселей силовых.

46. Технологии производства соединителей для ленточных проводов.

47. Технологии производства соединителей низкочастотных прямоугольных для печатного монтажа.

48. Технологии производства соединителей радиочастотных.

49. Технологии производства соединителей для высокоскоростной передачи информации.

50. Технологии производства перспективных коммутационных изделий.

51. Технологии производства машин электрических малой мощности.

52. Технологии производства химических источников тока.

53. Технологии производства кабельной продукции.

54. Технологии производства источников вторичного электропитания.

55. Технологии производства печатных плат.

56. Технологии производства керамических конденсаторов с электродами на основе драгоценных металлов.

57. Технологии производства керамических конденсаторов с электродами на основе неблагородных металлов.

58. Технологии производства проходных помехоподавляющих фильтров.

59. Технологии производства технологической оснастки для производства и измерений изделий электронной компонентной базы (электронных модулей).

Тематические сайты: Бухучет, налоги, отчетность, Вся Россия, Государство, Законодательство, право, Импортозамещение, Конкурентоспособность, Оборудование, электроника, механизмы, Технологии
Сайты стран: Россия

Ньюсмейкер: Национальное деловое партнерство "Альянс Медиа" — 12063 публикации
Сайт: government.ru/news/46151/

Интересно:

Как Лев Толстой защищал Севастополь
18.06.2026 9:06 Аналитика
Как Лев Толстой защищал Севастополь
13 сентября 1854 года (25 сентября по н. ст.) началась первая героическая оборона Севастополя. 349 дней русские моряки и солдаты отстаивали город при численном превосходстве противника и продемонстрировали всему миру свой героизм, мужество и отвагу. Среди защитников города был и молодой подпоручик Лев Николаевич Толстой – в будущем знаменитый русский писатель. Почти мировая война 4 октября 1853 года Турция в очередной раз объявила России войну, и вновь Россия ответила тем же. Но в этот раз Турцию поддержали Англия и Франция, которые очень внимательно следили за развитием событием и совсем не были заинтересованы в усилении России на Черном море. В феврале 1854 года они заключили военный союз с Турцией и сразу же выдвинули России ультиматум о выведении войск из Дунайских княжеств. Россия, естественно, не стала выполнять такие требования, и 15 марта союзники объявили ей войну. Англия и Франция попыталась начать боевые действия с...
Любимые игры Екатерины Великой
17.06.2026 9:06 Аналитика
Любимые игры Екатерины Великой
Сегодня мы поговорим о Екатерине II не как об императрице, продолжавшей дела Петра Великого и устроившей российскому дворянству «золотой век», а как о женщине на троне, которой были весьма не чужды и простые житейские утехи. Верхом и с ружьем В отличие от своих предшественниц на троне, императрица-просветительница вместо балов и маскарадов ежедневно занималась рутинной государственной работой. А ее любимые развлечения немного отличались от того, что радовало душу ее предшественницам-императрицам. Одним из любимых занятий Екатерины было катание верхом. Современники рассказывали, что она правила лошадьми как профессиональный наездник. Государыне очень нравилось вырываться из общей кавалькады. В те времена дамы по-мужски не ездили, это было не принято. У Екатерины же было специальное английское седло. С его помощью уже по ходу движения она принимала мужскую посадку и поэтому развивала бешеную скорость, однако нормы приличия при...
Значение Крымской войны 1853-1856 гг. обсудили на конференции в Москве
14.06.2026 0:37 Мероприятия
Значение Крымской войны 1853-1856 гг. обсудили на конференции в Москве
10 июня 2026 года в московском Доме русского зарубежья им. А.И. Солженицына прошла масштабная межрегиональная научно‑практическая конференция, приуроченная к 170‑летию окончания Крымской войны (Восточной) войны 1853–1856 гг. и подписанию Парижского мирного договора (Парижского трактата) «Значение Крымской (Восточной) войны 1853-1856 гг. для России и мира». Инициаторами и организаторами конференции выступило Российское Дворянское Собрание (РДС) во главе с М.Ю. Лермонтовым, Общества потомков участников Отечественной войны 1812 г. и Первой мировой войны (В.И. Алявдин) при поддержке Московского отделения Императорского Православного Палестинского Общества (ИППО).Парижский трактат, подписанный 18(30) марта 1856 г. Российской Империей, с одной стороны, и странами-союзниками по Крымской войне (Османской империей, Британией, Францией, Австрией, Королевством Сардиния и Пруссией), с другой стороны, ознаменовал де-юре официальное...
11.06.2026 15:05 Интервью, мнения
«Гигант — Компьютерные системы»: борьба с кибермошенничеством
Эксперт «Гигант— Компьютерные системы» рассказал, почему 7 часов 48 минут до блокировки не стоит называть прорывом и как антифрод-инфраструктура влияет на защиту граждан.  Минцифры опубликовало отчет о ходе реализации государственной программы «Информационное общество» нацпроекта «Экономика данных» за 2025 год. Один из ключевых показателей - среднее время блокировки фишинговых и мошеннических ресурсов. Фактический результат составил 7 часов 48 минут при плановом ориентире 8 часов. Также в отчете говорится о росте доли предотвращенного кибермошенничества на 53,7% и расширении числа организаций, участвующих в системе противодействия киберпреступлениям. В этот контур входят органы исполнительной власти, операторы связи и финансовые организации. Именно они формируют базовую инфраструктуру реагирования на цифровое мошенничество. О том, как корректно оценивать эти показатели, почему рост предотвращенного мошенничества нельзя...
В строю бессмертных: снайпер Ивченко и его последний бой за Родину
07.06.2026 11:39 Персоны
В строю бессмертных: снайпер Ивченко и его последний бой за Родину
В славной летописи Великой Отечественной войны, написанной кровью и мужеством советских воинов, особое место занимают подвиги гвардейцев-героев. Их имена, как яркие звёзды, озаряют путь грядущим поколениям, служа примером беззаветной преданности Социалистической Родине, народу и Коммунистической партии. В этом бессмертном строю — гвардии ефрейтор Михаил Лаврентьевич Ивченко.  Уроженец деревни Тимонино Красноярского края, он, как и миллионы его сверстников, вышел из трудовой крестьянской семьи. Получив начальное образование, Михаил Ивченко добросовестно трудился в колхозе, пройдя путь от возчика до бригадира, воспитывая в себе качества сознательного строителя социалистического общества. В 1940 году по призыву Родины он был направлен для прохождения службы в стрелковые части, дислоцированные на Крайнем Севере. С первых дней вероломного нападения гитлеровских захватчиков товарищ Ивченко стоял на переднем крае борьбы. В суровых...